بیجنگ( ویب ڈیسک) چینی سائنسدانوں نے سیمی کنڈکٹر ٹیکنالوجی میں اہم کامیابی حاصل کرتے ہوئے ورٹزائٹ فیرو الیکٹرکس کی پائیداری بڑھانے کا مؤثر طریقہ دریافت کرلیا۔یہ پیش رفت مستقبل کے اعلیٰ کارکردگی والے کمپیوٹنگ اور مصنوعی ذہانت کے نظام میں میموری کی قابلِ اعتماد کارکردگی سے متعلق ایک اہم مسئلے کے حل میں مددگار ثابت ہوسکتی ہے۔تحقیق کی قیادت شیان کی شیڈیان یونیورسٹی، سٹی یونیورسٹی آف ہانگ کانگ اور فوڈان یونیورسٹی کے سائنسدانوں نے کی۔محققین نے ورٹزائٹ فیرو الیکٹرکس میں ایک ہزار کروڑ سے زائد مرتبہ ڈیٹا تحریر کرنے کے کامیاب چکر مکمل کیے۔ یہ ایسے مواد ہیں جو دو مختلف برقی حالتوں کے درمیان تبدیل ہوسکتے ہیں، جس کی بنیاد پر ان میں ڈیٹا محفوظ کیا جاسکتا ہے۔تحقیق میں حاصل ہونے والی پائیداری اسی مواد پر اس سے قبل سامنے آنے والے نتائج کے مقابلے میں تقریباً 100 گنا زیادہ ہے۔ماہرین کے مطابق یہ کامیابی اگلی نسل کی میموری ٹیکنالوجی کی ترقی میں معاون ثابت ہوسکتی ہے اور فیرو الیکٹرک میموری کو مستقبل کے کمپیوٹنگ ہارڈویئر میں عملی استعمال کے مزید قریب لے جاسکتی ہے۔اگر مزید تجربات میں بھی یہ ٹیکنالوجی اسی کارکردگی کو برقرار رکھنے میں کامیاب رہی تو مستقبل کے مصنوعی ذہانت اور تیز رفتار کمپیوٹنگ نظاموں کے لیے زیادہ پائیدار اور قابلِ اعتماد میموری تیار کرنے کی راہ ہموار ہوسکتی ہے۔
